教授,博士生导师
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地址:内蒙古呼和浩特市大学西街235号
邮编:010021
电话:0471-4992967
传真:0471-4993141
Email: ndgong@imu.edu.cn
个人简历
教育经历
1994.9-1998.7 内蒙古大学物理学专业学士学位
1998.9-2001.7 内蒙古大学理论物理专业硕士学位
2001.9-2005.7 内蒙古大学理论物理专业博士学位
工作经历
2001.7 –现在 内蒙古大学物理系 讲师(2001),副教授(2006),教授(2010)
2005.9-2007.6 中科院半导体研究所博士后
2009.3-2009.7 香港城市大学高级副研究员
2012.9-2013.9 美国劳伦斯伯克利国家实验室
教学
本科生“力学”(春季学期)
本科生“固体物理”(秋季学期)
培养必赢nn699net研究生情况
现有在读博士必赢nn699net研究生3人,硕士必赢nn699net研究生5人,每年必赢nn699net拟招博士生1人,硕士生1-2人。
研究领域
凝聚态物理 ,计算物理
目前主要研究:
1. 介观体系中的自旋极化输运现象
2. 半导体量子结构的输运性质及其电子态
3. 微电子器件模拟
目前主持的各类科研项目:
1. 主持国家自然科学基金 “层状半导体结构中自旋极化隧穿的动力学研究”起止时间:2009年必赢nn699net1月- 2011年必赢nn699net12月。
2. 主持国家自然科学基金“隧穿场效应晶体管中齐纳隧穿的理论研究” 起止时间:2014年必赢nn699net1月- 2018年必赢nn699net12月。
奖励、荣誉和学术兼职
获奖、荣誉
1. 2005年必赢nn699net“热物理”系列课程教学改革与建设,内蒙古自治区教学成果二等奖。
2. 2009年必赢nn699net“介观系统电子—声子相互作用和隧穿问题的理论研究,内蒙古自治区自然科学奖一等奖。
3. 2009年必赢nn699net“国家精品课程改革与建设”获内蒙古自治区教学成果一等奖。
4. 2009年必赢nn699net10月获第七届内蒙古自治区青年必赢nn699net科技奖。
5. 2011年必赢nn699net6月内蒙古自治区高等学校教坛新秀奖。
6. 2011年必赢nn699net内蒙古大学励学奖。
7. 2013年必赢nn699net“创新知识体系的热物理理论和通识课程改革实践与开放共享”,内蒙古自治区教学成果一等奖。
8. 2014年必赢nn699net获内蒙古自治区首届科技标兵称号。
9. 2014年必赢nn699net“创新知识体系的热物理理论课程改革实践与开放共享”,国家教学成果二等奖
10. 2018年必赢nn699net“国家特色物理学专业建设与创新人才培养”荣获内蒙古自治区教学成果一等奖。
11. 2018年必赢nn699net获宝钢优秀教师特等奖提名奖。
学术兼职
1. 教育部教学指导委员会物理学类专业教学指导委员会委员(2018-2022)。
2. 内蒙古自治区物理学会秘书长。
3.计算物理学会理事。
4. 全国高等学校固体物理研究会常务理事。
主要论著
1. X. D. Lv , F. Y. Li, J. Gong*, Z. F. Chen,The dimensional and hydrogenating effect on the electronic properties of ZnSe nanomaterials: a computational investigation, Physical Chemistry Chemical Physics,20(37)24453-24464(2018)
2. S. L. Su, J. Gong*, Z. Q. Fan,Tunnable rectifying performance of in-plane metal-semiconductor junctions based on passivated zigzag phosphorene nanoribbons,RSC Advance 8(55)31255-31260(2018)
3. J. Lu , Z. Q. Fan, J. Gong*, et al. Enhancement of tunneling current in phosphorene tunnel field effect transistors by surface defects, Physical Chemistry Chemical Physics, 20,5699(2018).
4. J. Chen, J. Gong*, Theoretical investigation of the phonon-assisted tunneling in TFET with an indirect band gap semiconductor , Superlattices and Microstructures, 111, 319-325(2017).
5. J. Lu, Z. Q. Fan, J. Gong* and X. W. Jiang, Ab initio performance predictions of single-layer In-V tunnel field-effect transistors , Physical Chemistry Chemical Physics, 19, 20121-20126 (2017).
6. J. Lu, Z. Q. Fan, J. Gong* and X. W. Jiang, Ab initio simulation study of defect assisted Zener tunneling in GaAs diode , Aip Advances, 7, 065302 (2017).
7. X. W. Jiang, J. Lu, J. W. Luo, S. S. Li, J. Gong and L. W. Wang, Ab initio simulation on mono-layer MoS2 tunnel FET: Impact of metal contact configuration and defect assisted tunneling, IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology IEEE, 486-488 (2016).
8. X. W. Jiang, J. Gong, N. Xu, S. S. Li, J. F. Zhang, Y. Hao, and L. W. Wang, Enhancement of band-to-band tunneling in mono-layer transition metal dichalcogenides two-dimensional materials by vacancy defects, Applied Physics Letters, 104, 023512 (2014).
9. M. Li, J. Chen, and J. Gong*, Dwell time and escape tunneling in InAs/InP cylindrical quantum wire, Acta Phys. Sin., 63, 237303 (2014).
10.R. Q. Wang, J. Gong*, J. Y. Wu and J. Chen, Time of spin-polarized tunneling through a symmetric double-barrier quantum well structure , Acta Physica Sinca, 62,087303 (2013).
11. H. D. Yue, Y. Zhang, J. Gong*, Quantum discord in three-spin XXZ chain with three-spin interaction[J],SCIENCE CHINA Physics, Mechanics & Astronomy,55(9),1641-1645 (2012).
12. Y. Ming, J. Gong* and R. Q. Zhang, Spin- polarized transport through ZnMnSe/ ZnSe/ ZnBeSe heterostructures , Journal of Applied Physics, 110, 093717 (2011).
13.H. Li, J. Gong, X. Hu and R. Q. Zhang, Barrier dependent electron tunneling lifetime in one-dimensional device structures [J], Journal of Applied Physics, 108, 104514 (2010).
14. J. Gong, X. X. Liang and S. L. Ban, Confined LO-phonon-assisted magnetotunneling in a parabolic quantum well with double barriers [J], Physica E, 40(8), 2664-2670 (2008).
15.J. Gong, X. X. Liang and S. L. Ban, Dynamics of spin-dependent tunneling through a semiconductor double-barrier structure [J], Journal of Applied Physics, 102(7), 073718 (2007).
16.J. Gong, X. X. Liang and S. L. Ban, Tunneling time of electronic wave packet through a parabolic quantum well with double barrier [J], Physica Status Solidi (b), 244(6), 2064-2071 (2007).
17.J. Gong, F. H. Yang and S. L. Feng, Coherent tunneling in coupled quantum wells under a uniform magnetic field [J], Chinese Physics Letters, 24(8), 2383 (2007).
18.J. Gong, X. X. Liang and S. L. Ban, Confined LO-phonon assisted tunneling in a parabolic quantum well with double barriers [J], Journal of Applied Physics, 100(2), 023707 (2006).